FPD準分子雷射褪火機

適用於高階LCD，OLED以及新世代顯示器micro-LED產品所誕生的準分子退火設備。在面板技術不斷的進步之下，對於導電率的要求越來越高。低溫多晶矽(LTPS)一直次目前對於製造高階面板所需要的一道製程技術。本公司的準分子雷射退火裝備，可以提供相當優良的、穩定的且可靠的退火技術。台灣也有優良的團隊可以提供優質的售後服務。

產品特點

準分子雷射退火設備是由耕精密度的退火腔室，高功率準分子雷射以及光學系統所構成。
透過以上構成可以提供均勻的紫外光束照射在非晶向的矽基板上來形成多晶矽，多晶矽的可以提供相當好的導電率。此為製造各種高階面板所需要的設備。

JSW F-ELA(Floating ELA)系統的特點

JSW-FELA^*1 系統採用浮動工作台，其特性如下： 由於利用氣流使玻璃基板（基板）浮動，從而最大程度地減少了基板背面的接觸，因此幾乎無需接觸即可進行輸送。

可處理大型基板（最大可達 G10.5），實現高性能、穩定的 ELA 製程： 我們獨創的基板輸送技術可提供最佳的 ELA 製程。
透過提高基板輸送過程中的速度穩定性，實現穩定的雷射照射製程： 非接觸式無摩擦輸送技術可確保工作台的速度穩定性，進而減少照射不均勻。
透過提高照射區域內基板的平整度，擴大製程裕度： JSW-FLEA 系統在結構上僅輸送一塊基板，與 VC^*2 法相比，由於只需對有限的照射區域進行平坦化處理，因此提高了照射區域內基板的平整度。因此，在雷射照射過程中，基板在雷射光束的焦點範圍內以恆定的高度進行加工。
減少照射Mura： 傳統ELA系統常見的問題 – N2氣流Mura和VC引起的Mura，現已有效解決。 ·氣流Mura 雷射照射區域的N2氣流採用氣流控制技術，並充分利用浮動結構，進行了最佳化設計。 ·VC引起的Mura 由於不與VC接觸，基板背面不會受到VC凹槽等的影響，因此不會出現VC引起的照射Mura。
減少ESD^*3： 由於JSW-FELA系統幾乎以非接觸狀態輸送基板，因此不會產生因接觸而產生的靜電。此外，與基板接觸的零件（例如基板夾持零件）均採用防靜電材料製成。
減少顆粒物(particles)： JSW-FELA 系統僅以非接觸方式輸送基板，因此與傳統系統相比，擴散並黏附在基板上的顆粒極小。

*1 FELA：浮動式 ELA 系統
*2 VC：真空吸附式基板載台
*3 ESD：靜電放電

ELA設備 (Excimer Laser Annealing)

影片展示

JSW日本製鋼所，創立於1907年，因應當時社會對鋼材的需求，以做出最優秀的鋼為事業起點。此外，在第二次世界大戰後，本公司迅速關注到「塑膠」作為輕量材料的潛力，並開始研發「塑膠」加工機械。隨著「塑膠」加工機械的應用大幅擴展，市場對各種「塑膠」製造技術及節能技術的需求也日益增加，因此本公司不斷進行技術與設備的開發，並持續發展至今。